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SiC

三代半导体相对比,禁带宽度越大,越耐高压和高温;电子迁移率越高,可通过电流越大;电子饱和漂移速度越快,可工作频率越高,高频性能越好;热导率越高,散热性能越好。综上,SiC器件相对于Si器件的优势主要来自三个方面:降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压

与传统解决方案相比,基于SiC的解决方案使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑。目前SiC器件在EV/HEV上应用主要是功率控制单元(PCU)、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等方面。

碳化硅的产业链:碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场,通常采用物理气相传输法(PVT法)制备碳化硅单晶,再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法)生成外延片,最后制成器件。在SiC器件的产业链中,主要价值量集中于上游碳化硅衬底(占比50%左右)
碳化硅衬底依电阻率不同分为导电型和半绝缘型两类,分别外延沉积碳化硅和氮化镓后,用于功率器件和射频器件的制作。两大产品的主要应用领域有5G通信、电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等

衬底环节:天科合达、山东天岳和同光晶体等,已经实现4英寸衬底商业化,逐步向6英寸发展;

外延环节:瀚天天成、东莞天域等;

器件环节:泰科天润、华润微、基本半导体等。

其中三安集成、世纪金光等也成功实现了产业链贯通,进行了全流程布局

图解:

线索:

  • 媒体:第三代半导体产业将写入十四五规划

    权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。 (中证报)

  • 彭博:刘鹤将领导助芯片企业应对美制裁项目

    消息人士透露,刘鹤受委牵头​进行所谓第三代芯片开发与能力发展工作,也正领导制定针对该技术的一系列金融和政策支持项目。 彭博社称,上述项目涉及新兴领域,依靠并非传统硅材料的更新材料和设备,目前没有任何公司或国家占有主导地位,而这为北京提供一个避开美国及其盟友针对中国芯片制造行业设置的障碍的最佳良机。

概念股:

名称
关联
核心
标的指数
三安光电 600703
公司是整个LED行业的龙头,公司的主要业务包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片;高端砷化镓LED外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特别是封装产品应用四个产品方向的研发
露笑科技 002617
致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链,中国顶尖团队致力打造碳化硅的国之重器。(1)在碳化硅长晶炉方面,公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务,依托于历史的蓝宝石业务积累,公司目前战略转型布局碳化硅业务。(2)在碳化硅晶片方面,公司储备国内最早和最顶尖的从事碳化硅晶体生长研究的技术团队——陈之战博士研究团队。与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园 SiC
华润微 688396
国内首条6英寸商SiC晶元生产线已经量产
凤凰光学 600071
拟通过定增收购国盛电子和普兴电子 100%股权。国盛电子及普兴电子是国内领先的硅外延材料供应商,碳化硅外延材料也已具备量产能力。
东尼电子 603595
该研发团队由两位中国台湾的博士牵头,他们曾任职于台湾中央研究院物理研究所,曾赴日本学习碳化硅衬底制造技术,在晶体材料领域有着深厚的功底,年产12万片碳化硅半导体材料项目
天岳先进 688234