光刻胶，半导体材料皇冠上的明珠。

光刻胶是半导体光刻工艺的核心原材料，其产品水平直接影响芯片制造水平，按 曝光波长由大到小可分为 G/I 线胶、KrF 胶、ArF 胶和 EUV 胶，随着芯片集成 度的提高，适用于 8 寸、12 寸半导体硅片的配 KrF、ArF 是当下及未来短期内各 光刻胶公司的重点发力市场。目前国内半导体光刻胶需求 90%依赖从日本、美国进口，国内厂商徐州博康、北京科华、苏州瑞红、南大光电、上海新阳等在半导体高端光刻胶研发和量产上实现突破，光刻胶国产化是大势所趋，随着关键原材 料国产化进程提速，国内厂商有望实现份额提升。

光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶由感光树脂（聚合剂）、增感剂（光引发剂）、溶剂与助剂构成。光引发剂是光刻胶的关键成分，对光 刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。感光树脂用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架， 决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本属性。溶剂是光刻胶中最大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎没影响。助剂通常是专有化合物，主要用来改变光刻胶特定化学性质

光刻胶按应用领域分类，主要分为半导体、面板和PCB（印制电路板）用光刻胶，且难度依次降低。目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。光刻胶是集成电路制造的重要材料，光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。半导体用光刻胶按不同制程可分为EUV（极紫外光）光刻胶、ArF（193nnm）光刻胶、KrF（248nm）光刻胶及G线（500nm以上）、i线（350nm-500nm）光刻胶。

光刻工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35％，耗时占整个芯片工艺的40％~60％，是半导体制造中的核心工艺。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4％，是半导体集成电路制造的核心材料。

国产光刻胶发展充满机遇：

1. 下游LCD产业向大陆转移＋集成电路成熟 制程扩产显著，为国产光刻胶企业提供发展土壤与市场空间。

2.  近期KrF光刻胶供应受限，使供应链安全与全产业链自主可控成为重中之重，特别是在28nm及以上成熟制程应用领域；日本光刻胶产业集群的发展为国内光刻胶企业提供借鉴经验。

3. 光刻胶具备高重要程度+成本不敏感属性，供应链存在天然高稳定性的特点，在加速进口替代的趋势下，我们看好核心材料一体化+具备先发优势的龙头公司。

面对日本产业集群分工模式和寡头垄断格局，国产光刻胶企业面临大陆面板、半导体产业链蓬勃发展的历史性机遇，与下游企业抱团加快研发进程和产品导入，完成从0到1的突破，从松散布局到系统化发展，把握下游成熟制程下光刻胶市场，实现上核心材料一体化自主可控。