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GaN

新款氮化镓充电器有两个主要优点: 1)体积小,不到普通充电器的一半大小,便于携带。 2)充电效率高,比普通充电器充电效率至少提高50%,小米10 Pro搭配其使用从0充电至100%仅需45分钟。 氮化镓材料系列具有较高的能带宽带、较高的击穿电场和较低热产生率,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。 氮化镓和碳化硅,是继第一代硅/锗、第二代砷化镓/锑化铟之后的第三代半导体材料。碳化硅应用较早,所以已经有一定市场,但是相比碳化硅,氮化镓技术优势是长在硅材料上,所以成本下降的空间更大,潜力巨大。

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  • 媒体:第三代半导体产业将写入十四五规划

    权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。 (中证报)

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