东微半导交流纪要

会议纪要 2022-03-31 18:20

公司情况:

公司从事高性能功率半导体研发和产业化,主要产品是高压超级结、屏蔽栅MOS和特色IGBT工艺TGBT。1)公司是超级结最早进行国产替代同时目前份额最大的公司。很多客户从三四供做到一供。2)屏蔽栅MOS差异化战略,选择国产化低的产品。3)TGBT,公司专利,21年进入大批量生产,储能光伏逆变器电磁感应加热等。

东微核心竞争力是技术原创性,技术来源都是器件创新专利,之后和代工厂合作是客制化代工(非标准化)。终端产品体现是性能好、成本低、可靠性高。

2013年开始和华虹共同客户,2014年第一家工业客户。

Q:TGBT的性能差异点

A:国外技术使用的Micro change,目前海外第七代pitch可做到1.6-1.25微米,公司用的三栅结构,截面像三叉戟,中部栅为屏,两边为控制(薄)。国外因为双级容易被击穿,不能做太强的CS技术。公司把电场和CS分开,可以把载流子浓度提高。目前公司第一代可以对标国外第七代IGBT。第二代对标国外第八代IGBT,1)产品优点电流密度增强,第二代产品可做到500A/M2,CS浓度很高也不会击穿,芯片面积也可以做小,2)开关损耗小。目前产品已经进车载、光伏逆变、电机驱动,客户有汇川。公司有产品可替换SiC的MOS管,可提现性能优势。

Q:车载用在何处,主驱逆变吗

A:车载替代碳化硅MOS,用在OBC上,已有批量订单。主驱目前有家公司测试国产。

Q:公司产品和友商第七代产品相比,成本如何

A:成本差不多,第二代比海外第八代低一些。

Q:超级硅和传统超级结区别

A:超级硅是超级结的分支,速度方面优化更好。用来替代三代半,开关速度快。

Q:功率器件目前订单和全年需求如何,下半年是否会缓解

A:订单很饱和,比去年更紧。没有短期缓解的迹象,新能源下游需求高增+大芯片使用晶圆量大,高性能的功率半导体国内供给不足。公司领域国产化率不足10%。

Q:收入结构

A:60-70%是汽车和工业,消费30%。新能源相关占比会增加

Q:车载导入情况,在车和充电桩等应用

A:目前以OBC为主,目前产能做OBC也有点紧张。公司产品性能优势大,后续可抢占市场。公司目前覆盖头部工业和汽车客户,公司逐渐减少对单一客户依靠,加大对光伏和储能投入。其他计算等需求稳定。

Q:营收高增,原因是市场扩大还是国产替代?

A:国产替代,超结领域替代。整体市场需求也增加。比亚迪从2017年测试,去年开供,之前导入时期更长。公司从2014年工业级导入,21年是之前布局的爆发点。

Q:工业电源市场,超结MOS的格局如何

A:超结以英飞凌、ST、安森美、东芝、美国XYS等为主。东微是国内最大,占比小个位数。超结功率段是百瓦到千瓦,是车载OBC和通信电源的应用段,市场增量大。

Q:新洁能等超结产品对比,有无竞争

A:很少看到对手。公司在于华虹代工等合作底层创新。目标客户的应用领域上,产品工业级都是大电流产品,单体售价高。但目前缺货情况下,有货就行,体现不出性能差距。

Q:工艺团队人数,与代工厂合作的人员占比和后续培养

A:研发团队器件和工艺放在一起。功率半导体不光是版图,更重要的是器件结构。

Q:代工培养

A:除了华虹等,在粤芯也有12寸。国内代工话语权更重,他选Fabless客户,关注是否可以提升其工艺能力,提高其竞争力。

Q:技术团队介绍

A:公司领导之前是做存储,做功率器件降维打击。且底层物理有共通性,同时有专利和创新能力。

Q:与英飞凌竞争

A:制造能力上竞争很难,靠TGBT等类似创新来领先。

Q:TGBT是否会有海外具体新进入竞争

A:大公司有路径依赖。公司目前已经性能和海外龙头亿元,但是在晶圆代工有缺陷,比如华虹8寸线是旧设备,公司需要创新去克服设备的缺陷。

Q:12寸工厂和8寸去PK,性能和成本的区别

A:减薄到40μm的产品暂时不适合12产能,其他都转向12寸。12寸理论上看成本低,但目前有折旧的问题。

Q:国内12寸打海外8寸打的产品。

A:英飞凌做12寸功率器件最早,先发优势。供应链问题12,寸衬底外延片也需要积累。

Q:高低压毛利率差异

A:客户性质:公司和工业车规的客户定价和议价周期没有消费的快,波动小,例如消费电子MLCC翻一百倍,但是CPU不会涨这么多。好处是稳定性好。

低压MOS芯片面积小,一张8寸片上面有几万到十几万的低压MOS,晶圆成本波动对于其影响就很小,封装的成本可能占70%,所以晶圆涨价对于低压小芯片MOS影响不大。但公司是大芯片。

Q:TGBT今年出货量

A:光伏储能都表现好,下边年超十几万片。

Q:价格策略,去年情况

A:1)成本可可传导;2)毛利率稳定增加。21年陆续涨价两次。

Q:TGBT的失效率指标如何

A:失效率两个部分,封装的失效率,和环境相关度高;TGBT本身制程比较简单,不依赖华虹的设备机台能力。同一台机器做器件,我们的良率会更好。目前投1KK,不良是0。

Q:MOS、IGBT、碳化硅未来预期

A:MOS未来还是主流,IGBT面向变频驱动等大功率高电压场景,碳化硅在高温高电压,但目前成本和供应能力。未来共存。公司在三代半也投入了很大研发,和材料厂商也有联系。

Q:IGBT和超结产能分别

A:器件是新器件,华虹新产线,之前不做功率的产线,公司transfer能力也是扩产方法。

Q:英飞凌等有扩新的工厂,如何看待竞争

A:斯达是FRD,时代做动车等超高压,和公司产品不一样。国外虽然有制造优势,但最后和公司竞争还是技术的竞争,产能大了可能也是累赘。

Q:英飞凌扩产,是否供需反转

A:英飞凌第八代没发布,公司已经发布。要把现有产能变成有竞争力的产能是重要的,公司相比如国内对手,核心技术强。

Q:TGBT,下游客户接受起来有无路径依赖壁垒

A:没有推广问题。海外有无从IGBT转来做TGBT,公司专利布局可以。器件结构的专利是比较稳定的,相较而言版图容易被炒,但器件结构不会。未来可能会有竞品,但公司做的更快。